19ナノプロセスによる128GbNANDフラッシュメモリ

　東芝は、19ナノ半導体製造プロセス技術を用いて世界最大容量の128ギガビット（16ギガバイト）を実現したNAND型フラッシュメモリーを開発し、量産出荷を開始した。

　開発したNANDメモリーは19ナノプロセスとともに、一つのメモリーセルに3ビットのデータを記憶する多値技術（3ビット／セル）を適用した。

　独自の高速書き込み回路方式と、セル同士の干渉を抑える「エアギャップ構造」で、3ビット／セル品では世界最速の毎秒18メガバイトの書き込み速度を実現した。

　チップサイズも、128ギガビットNANDメモリーとして世界最小の170平方ミリを達成。メモリーセルを制御する回路を片側に寄せて配置するなどの回路構成の工夫により、周辺回路群の配置面積を、従来回路構成に比べて約２割抑えることに成功した。