高い耐熱性の「次世代SiCパワーデバイス用半導体封止材

　日本触媒は、独自開発のナノマテリアル技術を活用し、高い耐熱性を持つ「次世代SiC（炭化ケイ素）パワーデバイス用半導体封止材」（製品名＝「IX―NC―EPシリーズ」）を開発した。

同材料を使用したトランスファーモールド材（固形）では、従来材がＴｇ（ガラス転移温度）180―200度C程度であるのに対し、Ｔｇ294度Cの高耐熱を実現した。既にサンプル出荷を開始し、「早ければ13年からの量産化を目指す」（同社先端材料研究所）。