低消費の576Mビットで高速のLow Latency DRAM5品種

　ルネサスエレクトロニクスは、通信機器向けの高速メモリーとして、低消費電力を特徴とした容量５７６メガビットのＬｏｗ　Ｌａｔｅｎｃｙ　ＤＲＡＭ５品種のサンプル出荷を開始した。サンプル価格は５千円、１１年後半から量産を開始し、１２年には５品種合計で、年間２００万個以上の生産を計画している。

　 新製品は、同社従来品に比べて容量を２倍にし、データを高速に読み書きするランダムサイクル性能を２５％向上させた。また、最大動作周波数を３３％高速化したうえに、消費電力を１０％以上削減した。

　 新製品の採用で、従来品と比べて単位メモリー容量当たりの消費電力を大幅に抑制でき、省エネに貢献できるほか、ネットワーク機器の設計における放熱問題の解決が容易になる。

　 パッケージサイズは、１１×１８.５ミリメートルサイズと従来品と同じ。プリント基板の設計を大きく変更することなく、メモリーの大容量化・高速化によるシステム性能の向上を実現することができる。

　 ルネサスは、通信機器向けのメモリーとして一般的なＱＤＲ　ＳＲＡＭ、Ｌｏｗ　Ｌａｔｅｎｃｙ　ＤＲＡＭ、ＴＣＡＭを提供できる唯一のメーカー。

　 「世界トップの品ぞろえを目指して、今後も最先端の技術でネットワーク機器市場のニーズを満たすメモリーの開発を続け、ネットワークメモリーにおいて０９年度世界トップの４０％のシェアを、１２年度には６０％へと拡大する」（同社）としている。