30ナノ技術を使ったDDR4 DRAMと2ギガBモジュール

　サムスンが開発したＤＤＲ４　ＤＲＡＭは、新回路アーキテクチャを採用することで、データ転送速度最大３.２ギガビットを実現。３０ナノメートル級技術による１.３５Ｖおよび１.５Ｖ電圧のＤＤＲ３に比べ、約２倍の高速性能を提供する。

　 新モジュールは、４ギガビットのＤＤＲ４　ＤＲＡＭを８枚使用した容量２ギガバイトのＤＤＲ４　ＵＤＩＭＭ。データレートは、１.２Ｖ電圧で２.１３３３ギガビット/秒だ。

　 サムスンは今回、グラフィックＤＲＡＭモジュールに適用してきた「疑似オープンドレイン（ＰＯＤ）」という新技術を採用。これにより、新モジュールのデータ読み書き時の消費電力は、ＤＤＲ３モジュールに比べ半減する。

　 また、このモジュールをノートＰＣに搭載した場合は、１.５Ｖ電圧のＤＤＲ３モジュール搭載ＰＣよりも消費電力を４０％削減できる。

　 新モジュールは先月中に開発を完了しており、コントローラメーカー向けに試験用として提供済み。サムスンは、今年下半期のＤＤＲ４技術のＪＥＤＥＣ標準化策定を支援するため、サーバーメーカーなどと密接に連携していく考えだ。