101229_01
日付 |
メーカー名 |
製品分類 |
分類 |
用途 |
12月29日 |
101229_01 |
ルネサスエレクトロニクス |
半導体素子 |
ディスクリート |
一般産業用 |
20ギガヘルツ帯衛星放送受信用ガリウムヒ素FET
ルネサスエレクトロニクスは、世界最高水準の低雑音性能を持つ20ギガヘルツ 帯衛星放送受信用ガリウムヒ素ヘテロ接合型FET「NE3520S03」のサンプル出荷を開始した。11年3月から量産を開始する。
新製品は、半導体チップのエピタキシャル構造の最適化により、電子の高速化と、雑音発生源の一つであるソース抵抗を大幅に低減した。3次元電磁界解析手法を用い、ギガヘルツクラスの高周波数領域で半導体チップの性能を引き出す。また、従来品「NE3517S03」との置き換えが容易な中空構造プラスチックパッケージを採用した。
この結果、雑音指数(NF)を従来品と比べ0.05デシベル向上させ、0.65デシベルという20ギガヘルツ帯の量産品としては世界最高レベルの性能を実現した。
新製品を採用することで、衛星放送用アンテナメーカーは、HDテレビ放送などの受信感度向上を実現できる。
低雑音ヘテロ接合型FETは主として、衛星放送や衛星通信受信用アンテナのLNB(ローノイズブロックコンバータ)に用いられ、衛星から送られてくる非常に微弱なマイクロ波信号を増幅する。
LNBには、1台当たり3個から20個程度の低雑音ヘテロ接合型FETが使用され、雑音性能が低いほど安定した通信や高品質で高精細な映像を得ることができる。
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