600V・10Aのシリコンカーバイド（SiO)使用のDMOSFET

　ロームは、世界に先駆けてシリコンカーバイド（ＳｉＣ）を使用したＤＭＯＳＦＥＴ（プレーナタイプ）の量産を１２月から開始した。４月に量産を始めたＳｉＣショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）に続くＳｉＣパワー半導体の量産。まず、定格電圧６００Ｖ、定格電流１０Ａのカスタム品から出荷を開始した。

　 来夏までに６００Ｖ１０Ａ、１２００Ｖ２０Ａの汎用品を出荷、１２年３月までに６００Ｖ１５Ａ、２０Ａと１２００Ｖ１０Ａ、１５Ａの汎用品をラインアップする予定。ＳｉＣ　ＳＢＤとＳｉＣ　ＤＭＯＳＦＥＴを組み合わせたＳｉＣパワーモジュールを来夏に量産する。１２年３月まで　にＳｉＣインテリジェントパワーモジュール（ＩＰＭ）の量産を予定。

　 シリコン（Ｓｉ）に比べ絶縁破壊強度が約１０倍、熱伝導率、バンドギャップがともに約３倍というＳｉＣの優れた物性を生かし、高耐圧が求められるサーバー、ワークステーション、ＡＣアダプタ、スイッチング電源などに供給する。

　 現在、６００Ｖ１０Ａ、１２Ａ、２０Ａを取りそろえているＳｉＣ　ＳＢＤも１１年３月までに１２００Ｖ２０Ａまで取りそろえる。今後、シリーズを増やし１千Ａまでの産業用モーター、ＨＥＶ/ＥＶ用をはじめ、５千Ａまでの電鉄ドライブ用や５万Ａまでの送配電パワーエナジーのスマートグリッドまで幅広い電源部、モーター駆動部の高耐圧デバイス需要に応えていく。

　 量産を開始したＳｉＣ　ＤＭＯＳＦＥＴは、ＳｉＣ結晶欠陥による信頼性の課題や、ＳｉＣ特有の１７００度Ｃに及ぶ高温プロセスに起因する特性のばらつきなどのＳｉＣトランジスタの量産化の課題を新開発の独自技術で解決し、世界初の量産化に成功した。

　 デバイス内部の電界を小さくする電界緩和構造を採用。１７００度Ｃ近辺まで上がるイオン注入後やゲート酸化膜形成時の高温プロセスで独自のスクリーニング法を用い、高温プロセスでの特性劣化を抑えた。

　 同社では「高耐圧、高電流対応のＳｉＣハイパワー事業で、これまでの“ミリアンペアの世界”から“キロアンペア”の世界に打って出る」（佐藤研一郎名誉会長）とＳｉＣパワー半導体事業を業界に先駆けて立ち上げている。

　 ０９年７月にはＳｉＣ基板で世界第２位のメーカー、サイクリスタル社を買収。エピ技術では東京エレクトロン、京都大学とともに製造装置を共同開発するなど、ＳｉＣ基板、エピからのＳｉＣパワー半導体の一貫生産体制を整えた。

　 同時にＳｉＣのエピ処理、前工程を行うローム・アポロデバイス（福岡県筑後市）、ＳｉＣデバイスの後工程を担当するローム　インテグレイティッド　システムズ（タイランド）の生産体制を増強した。

　 ０４年にＳｉＣを使用したＭＯＳＦＥＴの試作に成功。ＳＢＤや、これらデバイスを用いたＳｉＣパワーモジュールを試作。米アーカンソー大、阪大、京大、本田技術研究所、日産自動車などとＳｉＣパワーデバイスを研究開発するなど、業界トップレベルのＳｉＣデバイス/モジュールの研究開発、試作量産に取り組んできた。