低消費電力のサーバー用8ギガバイトRDIMM（メモリモジュール）

　【ソウル支局】韓国のサムスン電子は７日、３次元積層技術「シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）」を適用した低消費電力ＤＤＲ３　ＤＲＡＭをベースに、サーバー用８ギガバイトＲＤＩＭＭ（レジスタード・デュアルインライン・メモリーモジュール）を開発したと発表した。従来のＲＤＩＭＭに比べ最大４０％、消費電力を節減できるという。

　ＴＳＶは、ダイを複数枚重ね合わせ半導体チップを立体構成し、ダイのシリコン基板を垂直に貫通したマイクロメートルサイズの穴を銅で充填（じゅうてん）するパッケージ技術。従来のワイヤボンディングによる積層技術に比べると、信号線路が大幅に短くなり信号遅延を短縮。シングルチップの薄さで、マルチスタックチップの機能を実現できる。

　 また、ＴＳＶ技術を用いることでチップの消費電力も大幅に削減され、サムスンが今回発表した８メガバイトＲＤＩＭＭは、従来のＲＤＩＭＭに比べ最大４０％の省エネが可能。さらにメモリー密度を大幅に高めることができるため、メモリースロットの数が３０％減少する次世代サーバーでも、ＤＲＡＭ密度を５０％以上向上させて、高密度で高性能なサーバーを実現できる。

　 ＴＳＶ技術は、サーバーの低消費電力と、メモリー容量増大、性能向上といったパラドックスを解決するための主要技術、とサムスンは説明している。

　 今回発表の８ギガバイトＲＤＩＭＭに採用したＤＤＲ３　ＤＲＡＭは、４０ナノメートル級のプロセス技術によるものだが、サムスンは今後、３０ナノメートルおよびそれ以降のノードにもＴＳＶ技術を適用していく。ＴＳＶ技術採用のメモリーモジュールは、１２年以降、様々な製品がリリースされる予定だ。