新ネットワーク用eDRAM技術採用の1.1Gビットメモリ

　ルネサスエレクトロニクスは、次世代イーサネット規格１００ギガビットイーサネット以降のスイッチ、ルーターなど、ネットワーク機器向けのメモリー４製品を発表した。従来品と同等の消費電力ながら容量を４倍に増やし、ランダムサイクル性能を３割以上向上させた。１２年に年間１００万個の生産を計画している。

■ 容量1.1Gビット
　 新ネットワーク用メモリーは、同社独自の４０ナノプロセスによるｅＤＲＡＭ技術と回路技術を駆使。メモリー容量を従来品（ＬｏｗＬａｔｅｎｃｙＤＲＡＭ・μＰＤ４８２８８２３６）の４倍となる１.１ギガビットを実現。同時にデータを高速に読み書きするランダムサイクル性能を１３.３ナノ秒と３０％以上向上させたほか、動作周波数も最大８００メガヘルツと２倍に高速化した。一方、消費電力は２Ｗと従来品とほぼ同等に抑えた。

　 動作周波数の高速化に伴い、３６ビットのデータ入出力を８００メガヘルツのＤＤＲインターフェイスで安定動作させるため、入出力回路の低電圧化とハイサイドターミネーションを採用している。

　 動作中の周囲温度などの変動を動的に補償するように改良し、入力信号端子の終端素子をチップに内蔵したオン・ダイ・ターミネーションに加え、データ出力時のノイズを低減するデータ・インバーション機能など、動作の信頼性を高める機能を搭載している。

　 １１×１８.５ミリメートルサイズと従来品と同一構造のパッケージに、電源ピン数を３８本強化した１４×１８.５ミリメートルサイズのパッケージ（１８０ピンＢＧＡ）を採用。既に実績あるパッケージをベースにしているため、新製品導入に伴うプリント配線板の設計における信頼性、電気特性上のリスクを低減することができる。

　 バースト長（２ないし４）別に、ビット幅×１６品と同×３２品がある。サンプル価格は１万５千円で、１１年４月からの量産をスタートする。