20ナノ級技術を使用した64ギガビットNAND型フラッシュメモリー

　【ソウル支局】韓国のハイニックス半導体はこのほど、同国清州市の３００ミリウエハーファブ「Ｍ１１」で、２０ナノメートル級プロセス技術を使用した６４ギガビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの量産を開始したと発表した。２０ナノメートル級技術によるＮＡＮＤ型フラッシュの量産は、韓国のサムスン電子に次いで世界で２例目となる。

　 ２０ナノメートル級技術を適用することで、従来の３０ナノメートル級３２ギガビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに比べ生産性が６０％向上。高密度、高コスト効率のチップの量産により、スマートフォンやタブレットＰＣなど、モバイル製品に最適のソリューションを適時に提供する体制が整ったとしている。

　 同時に、３０ナノメートル級プロセスによる３２ギガビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリーと、イスラエルのＮＡＮＤ型フラッシュメモリー設計企業、アノビット社のコントローラを組み合わせたＮＡＮＤフラッシュソリューションを開発したことも明らかにした。同製品は高速で動作し、記憶装置としての信頼性を大幅に向上させる。

　 ハイニックスでは、今回量産を開始した２０ナノメートル級チップとコントローラを組み合わせたソリューションの評価を９月にも実施する計画だ。