30ナノプロセス採用の8ギガビットOneNAND型チップ

　【ソウル支局】韓国のサムスン電子はこのほど、３０ナノメートル級の先進プロセス技術を使用した８ギガビットＯｎｅＮＡＮＤ型チップを発表した。シングルレベルセル（ＳＬＣ）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーをベースとしており、スマートフォンの大容量データ処理に最適とサムスンは説明する。今月下旬から量産出荷開始の予定だ。

　 ＯｎｅＮＡＮＤ型チップは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーとＳＲＡＭ、制御ロジックを１チップに集積したもので、ＮＡＮＤ型の大容量ストレージ機能とＮＯＲ型の高速読み出し機能を併せ持つ。

　 サムスンが発表した８ギガビット製品は低電圧設計で、データ読み出し速度は毎秒７０メガバイトと、従来のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの４倍。先進の３０ナノメートル級プロセス技術を適用したことで、生産性は前世代の４０ナノメートル級技術を使用した場合に比べ、４０％向上した。

　 サムスンは０４年から、別個のソフトを開発しなくとも端末アプリケーションに適用できる高性能ソリューションとして、ＯｎｅＮＡＮＤの採用を拡大してきた。

　 米市場調査会社、アイサプライによると、携帯電話向けの組込みＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに対する需要は、１０年には１ギガバイト換算で１１億個、１１年には２５億個に達する見込み。また米ストラテジック・アナリシスによると、スマートフォン需要は１０年に２億８５００万台、１３年には５億８千万台まで拡大する見通しだ。