40ナノプロセスによるグリーン4ギガビットDDR3量産開始

　韓国のサムスン電子は２４日、４０ナノメートル級のプロセス技術を使用した業界初の低消費電力（グリーン）４ギガビットＤＤＲ３の量産を開始したと発表した。同チップは１６ギガバイトのモジュール構成で、前世代２ギガビットＤＤＲ３ベースのモジュールに比べ、３５％消費電力を削減可能という。

　サムスンは、昨年７月に同社初の４０ナノメートル級プロセスによるＤＤＲ３として２ギガビット製品をリリース。それからわずか７カ月で、２倍容量の超低消費電力４ギガバイトＤＤＲ３の量産に着手した。同社はこれをベースに最大３２ギガバイト容量のモジュールを供給する。

　 また今回の４ギガビットＤＤＲ３の量産を機に同社はＤＤＲ　ＤＲＡＭ生産の９０％以上に４０ナノメートル級のプロセス技術を使用する計画だ。

　 今日のサーバーは、ＣＰＵ１個につき平均６個のＲＤＩＭＭソケットを実装しており、最大９６ギガバイトのＤＲＡＭを使用できる。消費電力はコンポーネントの性格により変化し、６０ナノメートルクラスの１ギガビットＤＤＲ２を使用したモジュールの消費電力は２１０Ｗ。これに対し４０ナノメートルクラスの２ギガビットＤＤＲ３を使用したモジュールは５５Ｗで、約７５％の低消費電力を実現する。

　 今回量産を開始した４０ナノメートル級クラスの４ギガビットＤＤＲ３を使用したモジュールの消費電力はわずか３６Ｗで、６０ナノメートル級１ギガビットＤＤＲ２ベースのモジュールに比べると約８３％、電力消費を低減。これにより、サーバー１台当たり１０％の省エネを実現できる。

　 サムスンは新４ギガビットＤＤＲを使用しサーバーやワークステーション、ハイエンドＰＣ向けに、１６ギガバイトおよび３２ギガバイトのＲＤＩＭＭｓ、８ギガバイトのＳｏＤＩＭＭを提供する。