低オン抵抗のパワーMOSFET「HEXFET」新シリーズ5品種

　インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（ＩＲジャパン）は、低オン抵抗のパワーＭＯＳＦＥＴ「ＨＥＸＦＥＴ」の新シリーズ５品種を発売した。耐圧２０Ｖ品（ＩＲＦＨ６２００ＴＲＰｂＦ）は、ゲート/ソース間電圧４.５Ｖ時のオン抵抗が最大１.２ｍΩと業界最小クラスを実現している。電動工具などの直流モーター駆動向け。

　 新シリーズは、いずれも５×６ミリサイズのＰＱＦＮパッケージを採用した点が特徴。耐圧２０Ｖ品１種のほか耐圧２５Ｖ品１種、耐圧３０Ｖ品３種がある。

　 耐圧２５Ｖ品のオン抵抗は最大１.１５ｍΩで、ゲート電荷も５２ｎＣと抑えている。耐圧３０Ｖの低オン抵抗品は、オン抵抗最大１.４ｍΩ、ゲート電荷５０ｎＣとなっている。

　 これらの低オン抵抗を特徴とする製品は、優れた熱特性を発揮し、従来に比べ実装面積を小さくできるほか、低コスト化、部品点数削減にも貢献する。

　 熱抵抗は１Ｗ当たり０.５度Ｃ以下。耐湿性レベルはＭＳＬ１となっている。ＩＲＦＨ６２００ＴＲＰｂＦの１万個購入時単価は１.１０ドルからとなっている。