絶縁型DC-DCコンバータ向けパワーMOSFET12製品

　ルネサス　テクノロジは、サーバー・産業機器などの電源に用いられる絶縁型ＤＣ―ＤＣコンバータ向け低損失パワーＭＯＳＦＥＴ１２製品の量産を開始した。当初月産１０万個、１０年７月には１００万個を予定。新製品は耐圧４０Ｖ、６０Ｖ、８０Ｖ、１００Ｖと幅広いラインアップなどがそろう。

　 新製品１２種は、主に非絶縁型ＤＣ―ＤＣコンバータ向けで実績ある０.１８ミクロンの第１０世代プロセスを使用。パワーＭＯＳＦＥＴの低スイッチング損失のための重要な特性である「ゲート・ドレイン間電荷量」（Ｑｇｄ）を従来品に比べ最大５０％程度低減した。

　 １００Ｖ耐圧品「ＲＪＫ１０５６ＤＰＢ」のＱｇｄは７.５ｎＣとなっている。

　 パッケージには、高性能のＬＦＰＡＫを採用し、パッケージ抵抗を抑えるとともに、高放熱特性により素子の温度上昇を抑えている。

　 一般的なＳＯＰ―８などのパッケージと比べ、製品の低損失化をパッケージ面からもサポートできる。内部結線は、直接フレームでつながり、パッケージインダクタンスを抑え、高周波動作にも適している。