線幅30ナノ級3ビットMLCと32ギガビットDDRNANDフラッシュ

　【ソウル支局】韓国のサムスン電子は、業界に先駆け線幅３０ナノメートル級のプロセス技術を使用したＮＡＮＤ型フラッシュメモリー２種の量産に着手したと発表した。一つは３ビットの多値セル（ＭＬＣ）ＮＡＮＤチップ。もう一つは、非同期ＤＤＲ（ダブルデータレート）インターフェイスの３２ギガビットＭＬＣ・ＮＡＮＤメモリー。

　１１月下旬から量産を開始した３ビット製品は、サムスンの３ビットＮＡＮＤコントローラと一緒にＮＡＮＤ型フラッシュメモリーモジュールに使用される。サムスンはまず、同チップで容量８ギガバイトのマイクロＳＤカードを生産する。

　 同社によると、３ビットＭＬＣ・ＮＡＮＤチップは、現在普及している２ビットＭＬＣ・ＮＡＮＤチップに比べ、データの記憶効率が５０％向上。マイクロＳＤカードのほかに、ＵＳＢフラッシュドライバーなどにも適応できる、効率的なＮＡＮＤベースのストレージを消費者に提供するという。

　 一方の３２ギガビットＭＬＣ・ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは、１１月下旬に主要ＯＥＭ企業向けの量産出荷がスタートした。

　 ＤＤＲ　ＮＡＮＤメモリーは、高速・大容量メモリーを要するモバイル機器の読み取り性能を大幅に向上させる。従来、モバイル機器に使用されていたシングルデータレート（ＳＤＲ）のＭＬＣ・ＮＡＮＤチップの読み取り速度は毎秒４０メガビット。これに対して、サムスンの新ＤＤＲ　ＮＡＮＤチップは毎秒１３３メガビットだ。

　 この新ＤＤＲ・ＮＡＮＤメモリーは、ＰＣ用ＳＳＤ（ソリッドステートドライブ）や、スマートフォン向けのプレミアムＳＤカード、またサムスンのモバイル向け大容量メモリー「ｍｏｖｉＮＡＮＤ」に使用される。個人向けメディアプレヤー、ＭＰ３プレヤー、カーナビゲーションシステム向けとしても最適とサムスン。

　 ３０ナノメートル級のＤＤＲ　ＭＬＣ・ＮＡＮＤを使用することで、プレミアム・メモリーカードは読み取り速度６０メガビット/秒を実現。平均読み取り速度１７メガビットのＳＤＲ・ＮＡＮＤベースのメモリーカードに比べ、３００％以上の性能向上を可能にするという。