Cu-TSV(Si貫通電極）による積層ギガビットDRAM

　エルピーダメモリはこのほど、Ｃｕ―ＴＳＶ（Ｓｉ貫通電極）による積層８ギガビットＤＲＡＭの開発に成功、今年末からサンプル出荷を開始する。同社では「ＴＳＶ積層技術を確立したことでＴＳＶ積層品の量産、実用化が見えてきた」としている。１０年半ばには１６ギガビット品（２ギガビットＤＲＡＭ積層）のサンプル出荷も計画。

　ＴＳＶはチップに小さな穴を開け、底に金属を充填することによって、サンドイッチ状に積み重ねた複数のチップを電気的に接続する３次元スタックパッケージ技術。

　同社は０４年にＮＥＤＯ（新エネルギー・産業技術総合開発機構）の助成により開発をスタートして以来、ＴＳＶ技術の開発に取り組んできた。広島工場にはＴＳＶラインを設け、秋田エルピーダのパッケージ工程と合わせ、国内でＴＳＶ製品を一貫生産できる体制を整えている。

　今回開発されたＴＳＶ・ＤＲＡＭは１ギガビットＤＤＲ３　ＳＤＲＡＭを８枚積層、インターフェイス層と合わせ、９層構成の８ギガビットＤＤＲ３　ＳＤＲＡＭ。コア間の接合端子数は１０３０ピン。パッケージ厚は最大１.３ミリメートル。

　従来のＭＣＰ（マルチ・チップ・パッケージ）やＰｏＰ（パッケージ・オン・パッケージ）に比べ、待機時の消費電力は４分の１に低減した。

　今後、大容量ＤＲＡＭだけでなく、ロジックとの超ワイドビット接続による高性能、省電力チップの開発も進めていく計画。

　ＴＳＶの応用製品の対象アプリケーションとしては、スパコン、サーバー用の超大容量ＤＲＡＭモジュールやプロセッサとの積層による高性能モバイル機器向けチップ、高性能デジタル家電、ゲーム機器向けハイエンドグラフィックスチップ。