耐圧25Vで最小オン抵抗のパワーＭＯＳＦＥＴ　3品種

　インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（ＩＲジャパン）は、耐圧２５ＶのパワーＭＯＳＦＥＴ３品種を発売した。表面実装用金属パッケージ「ＤｉｒｅｃｔＦＥＴ」の大型パッケージを採用し、２５Ｖ品でも最も小さいオン抵抗（０.５ｍΩ）を達成した。

　新製品３品種の一つでＤｉｒｅｃｔＦＥＴの大型缶（７×９.１ミリサイズ）を採用した「ＩＲＦ６７１８」のオン抵抗は、ゲート／ソース間電圧１０Ｖの場合、標準値で０.５ｍΩ、最大値でも０.７ｍΩに抑制。ゲート／ソース間電圧４.５Ｖ時には、標準値１.０ｍΩ、最大値１.４ｍΩを誇り、導通時の損失を低減する。

　サイズも表面実装パッケージである「Ｄ２Ｐａｋ」に比べて、高さは８５％低く、面積も６０％小さい。サーバーなどのアクティブ論理和（ＯＲ）回路やホットスワップ、電子ヒューズなどのスイッチング用に適する。

　また、ＤｉｒｅｃｔＦＥＴの中型缶（４.９×６.３ミリサイズ）に封止したＩＲＦ６７１７（ゲート／ソース間電圧１０Ｖ時標準オン抵抗＝０.９５ｍΩ）、小型缶（３.８×４.８ミリサイズ）を採用した同６７１３（同２.２ｍΩ）もそろう。

　なお、同６７１８の鉛フリー品の１万個購入時単価は１.５０ドルとなっている。