電波プロダクトニュース
090616_05
シリコンゲルマニウム・カーボンバイCMOS技術使用のRFIC オランダのNXPセミコンダクターズはこのほど、次世代のシリコンゲルマニウム・カーボン(SiGe:C)バイCMOSプロセス技術「QUBIC4」を使用し、無線周波数集積回路(RFIC)を開発することに成功したと発表した。 同技術を採用することで、携帯電話や通信インフラがより高性能レベルで動作するための低ノイズアンプ、ミディアムパワーアンプ、LOジェネレータなどの次世代RF製品を開発できるとNXPは説明する。 |
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