090521_02
日付 |
メーカー名 |
製品分類 |
分類 |
用途 |
5月21日 |
090521_02 |
富士通マイクロエレクトロニクス |
半導体集積回路 |
メモリー |
一般民生用 |
動作温度125度Cまで拡張したコンシューマFCRAM
富士通マイクロエレクトロニクスは19日、DDR SDRAMインターフェイスを持つメモリーとして、世界で初めて動作温度範囲を125度Cまで拡張したコンシューマFCRAMを開発し、512メガビット品、256メガビット品のサンプル出荷を開始した。
主にデジタル家電用途のシステムインパッケージ(SiP)向け。
デジタル家電用半導体では、SoCとメモリーを1パッケージに実装するSiPが用いられるケースが増えている。SiP化により搭載部品点数を削減できるだけでなく、高速メモリインターフェイス開発やノイズ対策などの設計が容易になる。
ただ、従来の汎用メモリーは最大動作温度が95度C程度のため、SoCの発熱に耐えられない場合があり、ヒートシンクなど熱対策が必要となった。
新製品は最大125度Cまで動作温度範囲を拡張し、消費電力の大きいSoCと組み合わせたSiPを実現できる。
また、バス幅を64ビットに広げることで動作周波数を低く抑え、同等性能となるバス幅16ビットのDDR2SDRAM2個分と比較して、大幅に消費電力を低減した。512メガビット品では最大で50%程度、消費電力を削減できる。
125度C動作時ではバス幅64ビットと最大200メガヘルツの動作周波数により、汎用DDRメモリーの2倍以上となる最大3.2ギガバイトのデータ転送レートを実現している。
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