定格650Vで業界最高レベルの電力効率・密度、パワーMOSFET「MDmeshV」

　ＳＴマイクロエレクトロニクス（ＳＴＭ）は１９日、低温時使用に配慮し、定格６５０Ｖで業界最高レベルの電力効率と電力密度を実現するパワーＭＯＳＦＥＴ「ＭＤｍｅｓｈＶ」を発表した。日本では低消費電力や小型化・省資源など今後、環境対応が強く求められる市場分野でのビジネス拡大を期待している。太陽光発電コンバータ向けを最優先に、ノートＰＣなどのスイッチング電源、照明機器、さらにはディスプレイといった幅広い省エネ関連用途で、０９年後半からの本格的な売上げ増への貢献を計画している。

　ＳＴＭは、パワー半導体をコア事業の一つとして重視。このデバイス分野では、エネルギー変換時の電力損失低減・高効率化、さらに世界的な新しいエネルギー規制への対応が大きな課題となっている。中でも、エネルギー効率の改善が競合他社製品との最重要ポイント。

　ＳＴＭは、現行主流の「プレナー型」に対してドリフト領域で縦方向に一定の電界を分布、同耐圧ならば低い“オン抵抗”を得られる「スーパージャンクション型」（構造）を採用している。

　ＳＴＭのＭＤｍｅｓｈ（マルチプル・ドレイン・メッシュ）技術による新製品ＭＤｍｅｓｈＶ（９品種）は、独自の深掘プロセスの導入によって、前世代のＭＤｍｅｓｈ�U（０４年に製品化）に比べ、単位面積当たりのオン抵抗が３５％改善した。パッケージ当たり最小のオン抵抗も実現している。

　最初の製品「ＳＴＰ４２Ｎ６５Ｍ５」（３３Ａ）はＴＯ―２２０パッケージに実装、オン抵抗は０.０７９Ω。

　「ＳＴｘ１６Ｎ６５Ｍ５」（１２Ａ）は既に量産に入っており、他の製品も４―６月にサンプル開始を予定している（量産は顧客の評価を経て２、３カ月後）。

　ＳＴＭでは、１２ｍΩを切る「ＭＤｍｅｓｈ�Y」を１０年に、さらにＳｉＣ（シリコン・カーバイト）品も１２年の発表を目指し、製品化に取り組んでいるという。