チップ面積が世界最小の8/16値2種類のNAND型フラッシュメモリ

　東芝とサンディスクは、多値技術を用い３ビット/セル（８値）と４ビット/セル（１６値）の２種類のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを開発した。

　 ３ビット/セルは３２ナノメートルプロセスを用い、３２ギガビット品としては世界最小のチップ面積を実現。また４ビット/セルは４３ナノメートルプロセスを用い、１チップで世界最大の６４ギガビットを実現している。

　 ３２ナノメートルプロセスによる３２ギガビット品は、０９年後半から四日市工場（三重県）で量産開始を予定。

　 ３ビット/セルでは、書き込み用に書き込みが必要なセルのみ判断する機能を搭載することにより、しきい値電圧の分布幅の精密な制御を可能とした。また、ロウデコーダの回路構成の簡素化やカラム（チップの入力単位、ビット線８本分）制御方式を工夫、チップサイズを縮小した。従来の４３ナノメートルプロセス品に比べ２ビット/セルで１６ギガビット品（約１２０平方ミリメートル）よりも小さい、３２ギガビット品では世界最小の約１１３平方ミリメートルのチップ面積を実現。

　 ４ビット/セル品では、選択ワード線の全セルを同時に読み出す方式の採用などで書き込み速度は７・８メガビット/秒。

　 今回の新技術は、８日から米サンフランシスコで開催中の「ＩＳＳＣＣ２００９」（国際固体素子回路会議）で１０日（現地時間）発表した。

　 ◇ロウデコーダ＝使用するＮＡＮＤセルを選択するためにワード線および選択ゲート線の電圧を制御する回路。