高破壊耐量と低オン抵抗実現のパワーMOSFET「HiPotMOS」シリーズ

　新電元工業は、高破壊耐量、低Ｒｏｎ―Ｑｇを実現して環境性能とバランス性能を兼ね備えるパワーＭＯＳＦＥＴ「ＨｉＰｏｔＭＯＳ」シリーズを開発、４月から販売する。サンプル価格は１００円。

　 新製品は、環境性能の一つであるオン抵抗を、同社従来品（ＶＸ３シリーズ）に比べ２０％以上低減した。

　 また、半導体プロセスのセル構造の微細化を進めながら、新しい拡散構造を取り入れることで、低オン抵抗および以前からの特徴である高破壊耐量も維持している。

　 さらに、電源回路設計者ニーズに配慮したバランス性能を追求、高破壊耐量の特徴を生かしながら、Ｒｏｎ―Ｑｇを同じく４５％低減している。

　 この結果、新製品は従来の電源回路から一層環境に配慮した省エネ電源を実現する。保護回路などの外付け部品を減らし、低コスト化、難しい電源回路設計の時間を短縮できるのも特徴だ。

　 耐圧は５００―６００Ｖ。定格電流は５―２０Ａ。パッケージは面実装のＤ―ＰＡＣＫ、ＴＯ―２２０フルモードの２種類。