最先端の43ナノプロセス採用の２値NAND型フラッシュメモリー16種類

　東芝は、最先端の４３ナノメートルプロセスで２値（ＳＬＣ＝シングル・レベル・セル）技術を用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリー１６種類を製品化、０９年第１四半期（１―３月）から順次量産を開始する。

　 ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを搭載するアプリケーションの多様化が進んでおり、携帯電話や薄型テレビ、ＯＡ機器、サーバーなどの分野では、高性能で信頼性の高いＳＬＣのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーが注目されている。

　 同社はメモリーセル１つに２つのデータを書き込める多値（ＭＬＣ＝マルチ・レベル・セル）技術を用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの開発にで、メモリーカードや音楽プレヤー向けに大容量の製品を提供してきたが、今回、ＳＬＣのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーも新たにラインアップすることで、高信頼性が求められる市場要求に応え、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー事業全体の拡大を図る。

　 ＳＬＣのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは、書き込み回数が多く、しかも書き込み、読み込み速度が速く信頼性に優れている。同社は今回、最先端の４３ナノメートルプロセスを適用したＳＬＣのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを５１２メガビットから６４ギガビットまでラインアップする。

　 １６ギガビットから６４ギガビットまでの大容量品３製品は、２値品で業界最大の１チップ当たり１６ギガビットのチップを搭載。