080801_06
日付 |
メーカー名 |
製品分類 |
分類 |
用途 |
8月1日 |
080801_06 |
リニアテクノロジー |
半導体集積回路 |
汎用リニアIC |
一般産業用 |
ショットキー・ダイオードに代わる5A MOSFET内蔵のシングル高電圧理想ダイオード・コントローラ「LTC4358」
リニアテクノロジーは、高電流アプリケーションでショットキー・ダイオードに代わる5A MOSFET内蔵のシングル高電圧理想ダイオード・コントローラ「LTC4358」の販売を開始した。
新製品はコマーシャル/インダストリアル温度範囲で規定され、4ミリ×3ミリ14ピンDFNおよび16ピンTSSOPパッケージで供給する。1千個受注時の参考単価は232円から。
新製品のコントローラと20ミリΩの内部NチャネルMOSFETは、順方向電圧の低いダイオードとして機能する。ショットキー・ダイオードと比べて低損失のパスを実現し、効率の向上とともにヒートシンク分のボード面積を節約できる。
内部MOSFETの順方向電圧降下を制御し、発振なしに一つのパスから他のパスへスムーズに切り替えができる。電源が故障・短絡した場合は、高速プルダウン回路によって逆電流過渡を最小限に抑える。
また、複数の冗長電源を並列に接続して負荷配分を行うアプリケーションに使用できる。Nプラス1冗長システムでは、電源の一つが故障した場合にシステムを防護するため、電源を1個追加してOR接続する。電源が故障・短絡した場合は、0.5マイクロ秒の高速ターンオフによりピーク・フォールト電流を制限する。
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