リチウムイオン電池保護回路用MOSFET新シリーズCSPパッケージなど11機種

　三洋半導体（田端輝夫社長）は７月３１日、１０.５ｍΩの低オン抵抗品を含むリチウムイオン電池保護回路用ＭＯＳＦＥＴの新シリーズを発表、８月からサンプル出荷を開始する。９月から順次、量産に入り、ピーク時には月産４５００万個を計画している。同社は、新シリーズの市場投入により一直ＬｉＢ（リチウムバッテリ）保護スイッチ用ＭＯＳＦＥＴの世界シェアを現行の２０％から２５―３０％へ、また、ＭＯＳＦＥＴの世界シェアを０７年の３位から０８年には第２位へランクアップを目指す。サンプル価格は１０５円。

　携帯機器に搭載されるリチウムイオン電池は、極端な過充電や過放電により電極が不安定な状態になり、激しく発熱するため破裂したり発火の危険性がある。そのため、これを防止する保護回路を組み込んだバッテリ部品の需要が急増している。

　 今回、同社が開発した保護回路用の新ＭＯＳＦＥＴシリーズはモールド製品からＣＳＰ（チップ・スケール・パッケージ）まで全１１機種。２４Ｖ耐圧をメーンに（３０Ｖ品も含む）設計、オン抵抗特性を考慮しながら耐圧マージンを確保、２セル用途にも展開できる。外部端子の鉛フリー、ハロゲンフリー、省エネルギー化（低消費電力）、レアメタル使用の削減、小型・薄型化による原材料の省資源化など、あらゆる面で環境に配慮した。ＣＳＰ構造の採用で実装面積を７０％（同社従来品比）、実装高さを約４０％低減（０.５５ミリメートル）した。

　 同社はパワーマネジメント製品をＬＳＩと並ぶ中核事業としており、パワーマネジメント事業本部では、年間２００機種以上の新製品を開発する。豊富なラインアップにより、携帯電話・通信機器、ホームＡＶ機器、ポータブルＡＶ、ＰＣ・周辺機器、さらには産業機器分野でのビジネス拡大が基本戦略だ。

　 「新ＭＯＳＦＥＴシリーズは、業界トップのオン抵抗（オン状態における端子間の抵抗値）特性の実現や低実装可能、２４Ｖを中心とした豊富な機種構成が特徴。主な拡販ターゲットは携帯電話、携帯音楽プレヤー、ＤＳＣ、ＤＶＣやＰＤＡ。０８年は、１６％以上の世界シェア確保が目標」（北平康雄スモールデバイス開発部長）としている。