銅ベースのオープンキャビティ型プラスチックパッケージを採用し高性能LDMOS技術使用のRFパワートランジスタ

　独インフィニオンテクノロジーズは、銅ベースのオープンキャビティ型プラスチックパッケージを採用したＲＦ（高周波）パワートランジスタ「ＰＴＦＡ０９１２０１ＧＬ」「同ＧＦ」と「ＰＴＦＡ１８１００１ＧＬ」「同ＨＬ」を発表した。量産開始は、０８年第３四半期を予定している。

　新トランジスタは、同社の高度なＬＤＭＯＳ（横方向拡散金属酸化物半導体）プロセス技術を採用しており、高性能セルラーアプリケーションでパワーアンプに最適だ。

　動作周波数は９２０メガ―１８８０メガヘルツで、２５Ｗと５０Ｗの平均出力を持つ変調方式に対応する。

　新しいパッケージは、銅の持つ高い熱伝導性により、耐熱性が１２％向上しており、従来のセラミックパッケージと同等の熱性能とＲＦ性能を実現し、総コストを抑え、信頼性を高めることができる。

　「ＰＴＦＡ０９１２０１ＧＬ」「同ＧＦ」は、９２０メガ―９６０メガヘルツのＥＤＧＥ信号条件下で５０Ｗの平均出力、１８.５デシベルのゲインと４４％の効率を実現する。動作電圧は２８Ｖ。

　「ＰＴＦＡ１８１００１ＧＬ」「同ＨＬ」は、１８０５メガ―１８８０メガヘルツのＷＣＤＭＡ信号条件下で２５Ｗの平均出力、１７デシベルのゲインと２７.５％の効率を実現する。動作電圧は２８Ｖ。