現在のプロセス技術66ナノに比べシリコンウエハー当たりの生産量を50％拡大できるためコスト引き下げが可能になった線幅54ナノ微細加工技術によるDRAM

　韓国のハイニックス・セミコンダクターは、６月から７月にかけ、線幅５４ナノメートルの微細加工技術によるＤＲＡＭの量産に着手すると発表した。先進技術への移行を加速し生産性向上を図ることで、ＤＲＡＭの単価続落による影響を避け、０８年下半期には営業黒字回復を目指す。先週末、本拠地の韓国・利川市で行われた記者会見で、金鍾甲ＣＥＯが明らかにした。

　５０ナノメートル世代のプロセス技術によるＤＲＡＭ生産では、一足早くライバル企業の韓国サムスン電子が今月、５６ナノメートル技術を使用した量産を開始している。

　ハイニックスの金ＣＥＯによると、現在の６６ナノメートル技術に比べ同社の５４ナノメートルプロセスでは、シリコンウエハー当たりの生産量を５０％拡大できる。生産性を高めることで、さらに大きなコスト引き下げの余地が生まれ、ＤＲＡＭチップ単価下落の影響もかなり緩和できるという。

　同社は、０７年１０―１２月（第４四半期）決算で、ＤＲＡＭおよびＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの単価下落の影響をまともに受け、１８・四半期ぶりに営業、純損益とも赤字に転落した。多くの市場アナリストが、０８年１―３月決算ではさらに営業赤字幅が拡大すると予想している。

■微細技術へ移行加速
　 ハイニックスでは０８年下半期の黒字回復に向けた取り組みの一つとして、微細技術への移行を加速する。「下半期の業績は、５４ナノメートルプロセスでの生産をいかに早く安定させるかにかかっている」と金ＣＥＯ。

　また、世界のメモリー市場の回復は、今年下半期以降と予想しており、０８年はまず、生産能力の拡大により黒字回復と財務状況の安定化に力を注ぐ。その一環として、０８年の設備投資を当初目標より１兆ウォン引き下げ、２兆６千億ウォン（約２６００億円）とすることも今回、明らかにした。

　微細加工技術への移行はＤＲＡＭに限ったことではなく、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーでは、既に１６ギガビット製品で４８ナノメートル技術による量産を開始している。これにより、５０ナノメートル技術に比べて６０％生産性を向上させることができるという。

　ハイニックスは、従来の汎用メモリー偏重の事業モデルを見直し、モバイルＤＲＡＭやグラフィックＤＲＡＭなど高機能プレミアムチップを強化。多彩な製品展開により、リスク軽減を図る。

　特にモバイルＤＲＡＭは、メモリー全体に対する生産割合を現在の１％から１０％にまで拡大することが目標だ。

　ＣＭＯＳイメージセンサーやドライブＩＣなど、非メモリー事業も拡充していく考えだ。