記憶素子に相変化物質を素材とした膜を使用しその1部をアモルファス状態にするか結晶状態にするかで情報を記録する業界初の相変化メモリー（PCM)の試作品「Alverstone」

　米インテルとスイスのＳＴマイクロエレクトロニクスは６日、業界初の相変化メモリー（ＰＣＭ）の試作品「Ａｌｖｅｒｓｔｏｎｅ」（＝開発コードネーム）のサンプル出荷を開始したと発表した。「４０年の不揮発メモリー開発における進歩の中でも、最も重要な一歩」と、今春にも設立予定の両社合弁メモリー企業、ニューモニクスのＣＴＯ（最高技術責任者）エド・ドラー氏は述べている。

　ＰＣＭは、記憶素子に相変化物質を素材とした膜を使用し、その一部をアモルファス状態にするか結晶状態にするかで情報を記録する。電源を遮断してもデータを保持できる不揮発性を持ち、従来のフラッシュメモリーより低い消費電力で超高速のデータ読み取り・書き込みを実現する。

　 インテルとＳＴは０３年から、ＰＣＭの共同開発に取り組み、これまで１８０ナノメートル技術による８メガビット製品、９０ナノメートル技術を使用した１２８メガビット製品を開発した。今回、業界に先駆けサンプル出荷を開始した製品は、９０ナノメートル技術による１２８メガビット版だ。

　 両社は今回、ＰＣＭ技術を使用し、世界初の高密度、多値セル（ＭＬＣ）のメモリーチップ開発にも成功したことを明らかにしている。セル当たり１ビットのシングルレベルセルから、複数ビットを記録できるＭＬＣへと移行することで、メガバイト当たりのコストが低く、より高密度のＰＣＭを実現できるという。

　 ＰＣＭ技術に関する画期的な研究成果の方は、米サンフランシスコで７日まで開催された「ＩＳＳＣＣ（国際固体素子回路学会）」で発表された。

　 インテルとＳＴは０７年５月にフラッシュメモリーの合弁企業、ニューモニクス設立計画を発表。当初は０７年末までに手続き完了を見込んでいたが、米サブプライムローン問題に端を発した投資市場の混乱を受け、０８年３月末に設立を延期している。今回サンプル出荷を開始した「Ａｌｖｅｒｓｔｏｎｅ」および将来の両社開発製品は新会社、ニューモニクスが取り扱う予定だ。