インテルとマイクロンの合弁企業であるIMフラッシュテクノロジーズで開発した線幅50ナノプロセスによる高速8ギガビットシングルレベルセルのNAND型フラッシュメモリー

　米インテルと米マイクロン・テクノロジーはこのほど、現行製品より５倍高速のＮＡＮＤ型フラッシュメモリー技術を開発したと発表した。

　インテルとマイクロンの合弁企業、ＩＭフラッシュテクノロジーズが製品化、線幅５０ナノメートルプロセス技術による８ギガビットのシングルレベルセル（ＳＬＣ）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーとして、サンプル出荷を開始している。量産出荷は今年下半期の予定。

　新開発のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは、ＮＡＮＤインターフェイスの新仕様「ＯＮＦＩ２・０」に準拠。より高速動作周波数の４プレーン型アーキテクチャを使用することで、読み込み速度最大２００メガバイト／秒、書き込み速度１００メガバイト／秒を実現した。

　従来のＳＬＣのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは、読み込み速度が最大で４０メガバイト／秒、書き込み速度は２０メガバイト／秒以下とされる。

　インテルのＮＡＮＤ製品グループ、マーケティング担当ディレクタ、ピート・ヘイゼン氏は「新しい高速ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは、ＰＣＩｅやＵＳＢ３・０などの次世代規格を含む高性能システム・インターフェイスの優位性を生かした、新しい組込みソリューションやリムーバルソリューションを実現する」と述べた。