独自のチャージとラッピング・ストレージ層の異なる２ヶ所に電荷を格納する65ナノプロセスによる2ビット/セル技術のMicroBitQuadフラッシュメモリー

　米スパンション（バートランド・カンフーＣＥＯ）は８日、６５ナノメートルプロセスによる「ＭｉｒｒｏｒＢｉｔＱｕａｄ」フラッシュメモリーのサンプル出荷開始を発表した。

　 量産は、３００ミリメートルウエハーにより日本の製造施設ＳＰＩ（福島県会津若松市）で行われる予定。

　 今回、サンプル出荷を開始した製品は、２ビット/セル技術のＭｉｒｒｏｒＢｉｔテクノロジーを基に開発されたもので、独自のチャージとラッピング・ストレージ層の異なる２カ所に電荷を格納するため、コスト、信頼性、生産性の点でフローティングテクノロジーより優れている。

　 当初、１ギガビット品を出荷、続いて複数の容量帯品を予定している。電子書籍、ゲーム、動画、音楽、ＧＰＳマップ、フォトアルバムなどのコンテンツ配布用途向け。