マイクロ波応用機器に最適な低容量・低順方向電圧をシリコン系デバイスで構成した低価格のシリコン高周波ショトキーバリアダイオード

　三洋半導体は、マイクロ波応用機器に最適な低容量、低順方向電圧をシリコン系デバイスで構成し、化合物系と比べ半分以下の価格を実現するシリコン高周波ショットキーバリアダイオードＳＢＸ２０１Ｃ＝写真＝を開発、今月下旬からサンプル出荷を開始する。

　 マイクロ波応用機器に使用されるダイオードでは、低容量・高感度など要求され、化合物系デバイスが主に使われてきたが、利用範囲の拡大に伴い、より安価で安定して対応できるシリコン系デバイス開発への声が高まっている。同社では、シリコンで熱酸化膜の厚い層を形成するなど独自のチッププロセス技術の開発により、シリコン系では困難とされていた端子間容量０.２８ピコＦ（最大）の低容量化を実現。ダイオードの順方向電圧（ＶＦ）３２０ｍＶ（最大）の低順方向電圧を可能にし、低電力局部発振器においても良好な周波数変換特性を可能にした。

　 同社ではこの製品をミキサー回路に適用した場合、優れた低順方向電圧特性により、局部発振回路（ＬＯ）の電力を低く設定することができ、低プリアスで変換損失少ない回路を実現できるとしている。低容量特性により、細菌急成長を遂げているＥＴＣ、ＲＦタグなどの検波顔路用部品としても特性を発揮できる。

　 サンプル価格は１００円、１２月には月産３００万個の生産を見込んでいる。