電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
10月10日071010_01 東芝 半導体素子 ディスクリート 通信インフラ用

Ku帯(14.5ギガヘルツ)向けにHEMT構造を最適化し高周波増幅素子として世界最高の出力65.4Wを実現した窒化ガリウム・パワーFET



 東芝は9日、Ku帯(14.5ギガヘルツ)に対応した高周波増幅素子として世界最高の出力65.4Wを実現した窒化ガリウム・パワーFETを開発したと発表した。

 開発したFETは、電子移動度の高いHEMT構造をKu帯向けに最適化したほか、基板とチップ間の配線を信号ロスの少ない貫通電極で形成している。さらに回路基板の設計を全般的に見直し、窒化ガリウム素子として実用的な性能水準を達成した。

 窒化ガリウム・パワーFETは、衛星通信基地局やレーダー向けに、電子管からの置き換えを含めて堅調な需要が見込まれている。同社では、ハイビジョンデータなどの大容量通信に対応した衛星通信基地局などへの採用を見込んでおり、今年中にサンプル出荷を開始し、来年3月末までに量産を開始する予定。


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