W-CDMA方式で高速データ通信対応の携帯電話端末向けGaAsのHBTを使い業界最小クラスのサイズを実現した送信用電力増幅モジュール

　三菱電機はこのほど、Ｗ―ＣＤＭＡ方式で高速データ通信（ＨＳＤＰＡ）対応の携帯電話端末向けに、ＧａＡｓ（ガリウム・ヒ素）ＨＢＴ（ヘテロ・バイポーラ・トランジスタ）を用いて業界最小クラスのサイズを実現した送信用電力増幅モジュール「ＢＡ０１２６１／同０１２６２／同０１２６３」の３品種を開発、１０月からサンプル出荷を開始する。サンプル価格はいずれも1000円（税抜き）。月１００万個で量産の予定。

　新製品は、独自の携帯電話用モジュール設計技術とＭＭＩＣ設計技術の融合により、送信用電力増幅モジュールの整合回路を構成するチップ部品の一部をＭＭＩＣに内蔵することで、チップ部品の点数を従来比で４割削減し、従来品と同等の性能を維持しながら従来比約６割以下の実装面積３.０×３.０ミリメートルを実現した。

　また、従来品では整合回路をセラミックス基板上に構成していたが、今回、熱抵抗を低減した樹脂基板を採用することにより、同社従来比で約１６％薄い、製品高さ１.０ミリメートルを実現した。これらによりＨＳＤＰＡ対応携帯電話端末の小型・薄型化に貢献する。

　主な仕様は次のとおり。

▽ＢＡ０１２６１　周波数＝８２４メガ―８４９メガヘルツ、出力電力＝２６.５ｄＢｍ
▽ＢＡ０１２６２　周波数＝１９２０メガ―１９８０メガヘルツ、出力電力＝同
▽ＢＡ０１２６３　周波数＝１７５０メガ―１７８５メガヘルツ、出力電力＝同。