メモリー製品では最も微細な線幅51ナノメートル加工技術を使った業界最高密度16ギガビット多値(MLC)NAND型フラッシュメモリー

　【ソウル支局】韓国のサムスン電子はこのほど、業界最高密度１６ギガビット多値（ＭＬＣ）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの量産を、ほかに先駆け開始した。メモリー製品の量産では現在、最も微細といわれる線幅５１ナノメートル加工技術を用いている。これで前世代の６０ナノメートル技術を使用した場合に比べ、６０％以上効率良くチップを生産できるという。

　サムスンは昨年８月、６０ナノメートル技術により８ギガビットのＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを発表。それからわずか８カ月で、先進技術による新製品の量産に着手したことになる。

　同社半導体事業部門のフラッシュ製品マーケティング担当ディレクター、ジム・エリオット氏は「１６ギガビット製品の投入で、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの市場はさらに拡大するだろう」と語る。

　同氏によると、５１ナノメートル技術を使用することで、生産コストを最小限に抑えるとともに、チップ性能の大幅向上も実現した。

　例えば、６０ナノメートル技術による多値ＮＡＮＤ型フラッシュのデータ読み取り速度は毎秒１７メガバイトだが、５１ナノメートル技術を使用したものは毎秒３０メガバイト。また、書き込み速度も毎秒４.４メガバイトから８メガバイトと２倍近く向上した。これは、６０ナノメートル技術のＮＡＮＤ型フラッシュが２キロバイトのページサイズで設計されているのに対し、新製品は４キロバイトのページサイズでデータを処理できるためだ。

　一方で、前世代製品と同じ４ビットのエラー修正コード（ＥＣＣ）を維持しているため、顧客はファームウエアの最小アップグレードだけで、既存のシステム・インターフェイスをそのまま使用できる。

　サムスンは今後、音楽携帯電話、ＭＰ３プレヤーでも４キロバイトのページサイズを処理するよう最適化したフラッシュ・ソフトウエアと、ファームウエア内蔵ストレージ機器のパッケージ製品も提供する計画。

　１６ギガビット製品に対する需要は今後急速に拡大し、今年後半にはＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの主流になる、とサムスンは予想。その世界売上げは、２０１０年には２１０億ドルに達すると見込んでいる。