070328_05
日付 |
メーカー名 |
製品分類 |
分類 |
用途 |
3月28日 |
070328_05 |
OKI |
半導体素子 |
光半導体 |
通信インフラ用 |
独自の利得結合型DFB(分布帰還型)レーザー技術で実用化に成功した光アイソレータ不要の光源用半導体レーザー
OKI(沖電気工業)は27日、FTTH(ファイバ・トゥー・ザ・ホーム)などで長距離通信に使われる光モジュールを小型・低価格にするために、光アイソレータのいらない光源用半導体レーザーを独自の利得結合型DFB(分布帰還型)レーザー技術を用いて、世界で初めて実用化したと発表した。
今後、MEMS(マイクロマシン技術)を用いた独自のシリコンレンズと組み合わせて商品化を目指す。
新半導体レーザーは、反射戻り光耐性を向上させて、反射戻り光入射時の相対強度雑音劣化を改善させる利得結合型DFBレーザーを用いることにより、光モジュールの通常動作温度範囲である0―70度Cにおいて、強制的に反射戻り光(マイナス14デシベル)を入射させた状態で、ビットレート1.25ギガビット/秒、距離25キロメートルの伝送実験をした結果、受信感度劣化がほとんどなく、通常の屈折率結合型DFBレーザーと比較しても、反射戻り光耐性が向上していることを確認した。
この利得結合型DFBレーザーは、従来構造のDFBレーザーとほぼ同等の製造工程で作れるため、チップ製造コストも同程度の見込み。同社では、6月には評価用サンプルの提供を予定。今回の成果は、米国アナハイムで開催中のOFC/NFOEC 2007で発表した。
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