電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
3月28日070328_05 OKI 半導体素子 光半導体 通信インフラ用

独自の利得結合型DFB(分布帰還型)レーザー技術で実用化に成功した光アイソレータ不要の光源用半導体レーザー


 OKI(沖電気工業)は27日、FTTH(ファイバ・トゥー・ザ・ホーム)などで長距離通信に使われる光モジュールを小型・低価格にするために、光アイソレータのいらない光源用半導体レーザーを独自の利得結合型DFB(分布帰還型)レーザー技術を用いて、世界で初めて実用化したと発表した。

 今後、MEMS(マイクロマシン技術)を用いた独自のシリコンレンズと組み合わせて商品化を目指す。

 新半導体レーザーは、反射戻り光耐性を向上させて、反射戻り光入射時の相対強度雑音劣化を改善させる利得結合型DFBレーザーを用いることにより、光モジュールの通常動作温度範囲である0―70度Cにおいて、強制的に反射戻り光(マイナス14デシベル)を入射させた状態で、ビットレート1.25ギガビット/秒、距離25キロメートルの伝送実験をした結果、受信感度劣化がほとんどなく、通常の屈折率結合型DFBレーザーと比較しても、反射戻り光耐性が向上していることを確認した。

 この利得結合型DFBレーザーは、従来構造のDFBレーザーとほぼ同等の製造工程で作れるため、チップ製造コストも同程度の見込み。同社では、6月には評価用サンプルの提供を予定。今回の成果は、米国アナハイムで開催中のOFC/NFOEC 2007で発表した。


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