業界最速のクロックスピード185MHzで消費電力50%低減を達成した512メガビット・モバイルDDR SDRAM

　【ソウル支局】韓国のハイニックス・セミコンダクターはこのほど、クロックスピード１８５メガヘルツと業界最速の５１２メガビット・モバイルＤＤＲ　ＳＤＲＡＭを発表した。

　エラー補正コード（ＥＣＣ）を付加したことで転送時におけるデータ整合性を高め、同時に消費電力の約５０％低減も実現した。

　１８５メガヘルツの動作周波数では、３２ビット�T／Ｏで最大毎秒１・５ギガバイトの高速データ転送が可能だ。ＥＣＣ機能によってリフレッシュ間隔が延長され、結果として電力消費を抑えることができる。さらに低電源供給電圧、ＴＣＳＲ（温度補償セルフリフレッシュ）、ＰＡＳＲ（パーシャルアレイ・セルフリフレッシュ）、ＤＰＤ（自動電力遮断）モードといった、モバイルＲＡＭ特有の低電力機能も備えている。

　同メモリーは、線幅８０ナノメートル加工技術で生産されており、ＪＥＤＥＣ（米国電子工業会）規格準拠のピン配列、パッケージで提供される。今年下半期に量産に着手し、第３四半期にサンプル出荷を開始する予定。

　ハイニックスでは、このモバイルＤＤＲ新製品をＮＡＮＤ型フラッシュメモリーと組み合わせ、マルチチップパッケージ（ＭＣＰ）またはパッケージ・オン・パッケージ（ＰＯＰ）で提供することも計画中だ。