070105_03 サムスン電子

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日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
1月5日	070105_03	サムスン電子	半導体集積回路	メモリー	デジタル情報家電用

50ナノメートル技術と4キロバイトページサイズのMLCを採用した業界初の16ギガビットNAND型フラッシュメモリ

　【ソウル支局】韓国のサムスン電子は３日、回路線幅５０ナノメートルの微細加工技術を使用した、業界初の１６ギガビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリーのサンプ出荷を開始したと発表した。

　同製品は、データの読み取り、書き込み機能を強化するため、４キロバイトのページサイズを持つマルチ・レベル・セル（ＭＬＣ）設計を採用した。

　ＭＬＣ設計の従来の２キロバイトページング・システムに比べて、読み取り速度は２倍、書き込み速度は１５０％増を実現した。

　これを使用することでモバイル製品は、大容量データファイルを従来以上に高速処理できるようになる。

サムスンは、フラッシュメモリーとハードディスクの２つの長所を併せ持つソリッド・ステート・ディスク（ＳＳＤ）やその他の高密度アプリケーション向けに、１６ギガバイトＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを提供する計画。

　今年第１四半期に量産を開始する。