業界初の線幅60ナノプロセス技術による1ギガビットDDR２ DRAMチップと1ギガバイトと2ギガバイトモジュール

　【ソウル支局】韓国のハイニックス・セミコンダクターはこのほど、業界初の線幅６０ナノメートルプロセス技術による１ギガビットＤＤＲ２　ＤＲＡＭチップと、これをベースとした１ギガバイト、２ギガバイトのモジュール製品を発表した。モジュール製品は現在、米インテルが性能評価を行っている。

　 １ギガビットＤＲＡＭは業界最速の８００メガヘルツで動作。６０ナノメートル技術を利用したことで、製造コストを前世代の８０ナノメートル技術のものに比べ最大５０％削減できる。

　 同社は６０ナノメートル技術により微細化を図った１ギガビットＤＲＡＭを使用することで、４ギガバイト以上のＲＤＩＭＭやＦＢ−ＤＩＭＭもコスト効率良く製造できると期待している。

　 小型パッケージにより、平面２列アセンブリが可能となり、モジュールにチップを積層する必要がなく、全体の製造コストも低く抑えることができる。

　 同社の製品開発部門、Ｈ・ジュー副社長は「当社の６０ナノメートルプロセスは、最悪のコンディション下でも非常に安定している。さらに３次元トランジスタ構造と、３層メタル加工により、チップの性能を大幅に向上させることができた」と述べた。

　 ハイニックスは０７年下半期にも、１ギガビット・ＤＤＲ２　ＤＲＡＭチップと２ギガバイトのモジュール製品の量産を開始する計画だ。