061121_01 ルネサス　テクノロジ

061121_01
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
11月21日	061121_01	ルネサス　テクノロジ	半導体複合部品	機能モジュール	一般産業用

CPUなどのボルテージレギュレータ用ドライバICとハイサイド/ローサイドの2つのMOSFETを集積したDrMOS

　ルネサス　テクノロジはこのほど、ＰＣやサーバーなどのＣＰＵ向けボルテージレギュレータ用に、ドライバＩＣとハイサイド／ローサイドの二つのパワーＭＯＳＦＥＴを集積した「ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｄｒｉｖｅｒ―ＭＯＳＦＥＴ（ＤｒＭＯＳ）」準拠第２弾の第２世代品「Ｒ２Ｊ２０６０２ＮＰ」を製品化、１２月からサンプル出荷を開始する。サンプル価格は７３５円。０７年１月から月１万個で量産を開始し、１０年１月には、月２５０万個を予定している。

　新製品は、ドライバＩＣとハイサイド／ローサイドスイッチ用二つのパワーＭＯＳＦＥＴを集積するインテル提唱のパッケージ規格ＤｒＭＯＳに準拠した第２世代品。プロセス変更やパッケージ構造改良などにより、性能向上を図っている。

　高性能パワーＭＯＳＦＥＴ、新規開発の高放熱／低損失パッケージ、および高速ドライバＩＣの技術により、業界最高の高出力電流４０アンペアを実現している。

　また、スイッチング周波数が１メガヘルツ動作において、最大効率が業界最高レベルの約８９％（１２ボルト入力、１.３ボルト出力時）を達成している。出力電流２５アンペア時の電力損失は業界最小レベルの４.４ワットと、従来品に比べ、２０％以上の低損失化を図っている。

　パッケージは、８×８×０.９５ミリメートルの小型５６ピンＱＦＮパッケージで供給される。

　主な用途は、デスクトップＰＣやサーバーのＣＰＵ用ボルテージレギュレータ、高性能ＧＰＵ、大電流ＤＳＰ用のＤＣ―ＤＣコンバータ、通信などのＰＯＬコンバータなど。