電波プロダクトニュース
061031_01
液晶TV向けバックライト駆動回路を経済的に構築できるパワーMOSFET3機種 新製品は、設計ルール0.25マイクロメートルのプロセスUMOS4の採用により、SOP形状のパッケージによる8本の接続端子を搭載した液晶テレビ用に普及している現行のMOSFETに比べ、最大約10分の1の6.7ミリオームと業界最高クラスのオン抵抗値性能を実現している。 これにより、電流を流した際の発熱が低減できるため、MOSFET一つ当たりに流せる電流の量を増やすことができる。このため、放熱のための部品を削減でき、例えば、20本のバックライトに必要となるMOSFETの量を8個と、従来に比べ8分の1に削減でき、液晶テレビの低価格化が図れる。 パッケージは、放熱性に優れた業界標準のT0252を採用しており、露出させたリードフレームを用いて放熱させるため、放熱設計が容易となる。 さらに、オン抵抗値の違う3種類の製品を用意しているため、30インチクラスから50インチクラスの画面に最適なバックライトを構築できる。 |
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