060629_05 サムスン電子

060629_05
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
6月29日	060629_05	サムスン電子	半導体集積回路	メモリー	デジタル情報家電用

60ナノメートルプロセス技術を使用した2ギガビットのOneNANDフラッシュメモリーチップ

　【ソウル支局】韓国のサムスン電子は２７日、回路線幅６０ナノメートル（ナノ＝１０億分の１）のプロセス技術を使用した２ギガビットの「ＯｎｅＮＡＮＤ」フラッシュメモリーチップを開発したと発表した。「ＯｎｅＮＡＮＤ」はＳＲＡＭと制御ロジック、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを組み合わせたフュージョンチップで、同社は今年４月に７０ナノのプロセス技術を使用した１ギガビット製品の量産を開始している。

　２ギガビット製品は、記憶容量が２倍になっただけでなく、書き込み速度が１ギガビット製品の毎秒９メガバイトから１７メガバイトに大幅に向上。一方、読み取り速度は従来と同じ毎秒１０８メガバイトだが、これにより、世界最速のエータ処理速度を誇るメモリーチップが誕生した。

　ＮＯＲ型フラッシュメモリーと同等の高速読み取りスピード、ＮＡＮＤ型製品の大容量性、書き込みスピードの速さを併せ持つ「ＯｎｅＮＡＮＤ」は、マルチメディア携帯電話からデジタルカメラ、着脱可能なメモリーカード、ＰＣ、デジタルテレビなど、広範囲におよぶ用途が見込まれるとサムスンでは期待している。

　「ＯｎｅＮＡＮＤ」はまた、個々のチップを垂直に積み上げ、相互に接続して利用することが可能で、これによりさらに大容量のデータを処理できるようになる。たとえば、２ギガバイトのチップを８個接続すれば、書き込み速度は毎秒最大１３６メガバイトまで向上するという。

　同チップは、フラッシュメモリーをＨＤＤ（ハードディスクドライブ）アーキテクチャに組み込んだサムスンのハイブリッドＨＤＤのバッファメモリーとしても使用されている。こちらでも、さまざまなアプリケーションでの利用が見込まれている。