060608_02 インテル

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日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
6月8日	060608_02	インテル	半導体集積回路	メモリー	一般民生用

組込み市場向け動作電圧3ボルト製品等のNOR型フラッシュメモリー拡充

　インテル（吉田和正/ロビー・スウィヌン共同社長）は7日、成長が期待される組込み市場に向けたＮＯＲ型フラッシュメモリーの製品群を拡充すると発表した。

　「インテルＳｔｒａｔａＦｌａｓｈエンベデッド・メモリー」に動作電圧が3ボルトの製品と、同社初のシリアル・ペリフェラル・インターフェイス（ＳＰＩ）を備える製品が追加される。

　動作電圧が3ボルトのエンベデッド・メモリーは、ＳＴＢ（セット・トップ・ボックス）、無線基地局やネットワーク機器などに最適な製品で、多彩な容量とパッケージで提供される。現在サンプル出荷中で、量産出荷は06年第4四半期の予定だ。

　同社の今回の発表は、家電や産業用機器、ＰＣ、通信機器など、広範な組込み市場に向けたＮＯＲ型フラッシュメモリーへの積極的な取り組みをあらためて示すもの。

　 06年の携帯電話を除く組込み機器向けフラッシュメモリーの市場規模は、20億ドルから30億ドルの見込みで、ＳＰＩを搭載したフラッシュメモリーは、最も成長率の高い分野の一つとされている。