060602_04 ライテック

060602_05

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
6月2日	060602_05	ライテック	半導体素子	ディスクリート	移動体通信機器用

次世代携帯電話等に最適な超高周波電力用極小接合容量PINダイオード

　ライテック（京都市、坂井夕美社長）は、超高周波電力用の極小接合容量ＰＩＮダイオード「Ｌ209ＮＥ」を開発、今月から販売を開始。初年度2千万円の売上げを見込む。

　Ｌ209ＮＥは、ＬＴＣシリーズシリコンＰＩＮダイオードの新製品。従来のセラミックＭＥＬＦパッケージ品より大幅に高周波特性を改善した。端子間容量を0.4ピコＦ（ＴＹＰ）と極小化し、超高周波での信号分離特性にも優れる。ＶＨＦ、ＵＨＦ帯での電力スイッチングが可能。ゼロバイアスでの容量、逆バイアス依存性、挿入損失、順直列抵抗がいずれも小さく、アイソレーションが高いなどの特徴がある。表面実装タイプ（リフローハンダ対応）。ＲｏＨＳ規制対応品。

　外形寸法は、最大3.5×2.5×2.5ミリ。最大定格は▽許容損失1ワット▽スイッチング電力100ワット▽逆耐圧270ボルト▽サージ電流2アンペア。

　 3ギガヘルツから5ギガヘルツ以上の周波数帯で利用される次世代の携帯電話、ＷｉＭＡＸ、ワイドバンドワイヤレス通信機、デジタルアマチュア無線機の中継機器、ＥＴＣやＲＦＩＤリーダーライターなどの電力用アンテナスイッチに適する。

　これまでＵＨＦ領域（～3ギガヘルツ）で使用されていた電力用ＰＩＮダイオード2機種（Ｌ402ＦＥ、Ｌ709ＣＥ）も、3ギガヘルツ以上の超高周波領域で最大100ワットの許容電力を持ったアンテナスイッチング素子として利用できる。特にＬ402ＦＥは、挿入損失が非常に少ない特性を持つ。