電波プロダクトニュース
060227_01
第3世代やCDMA方式携帯電話向けNANDフラッシュとLPSDRAMのマルチチップ・パッケージメモリー スイスのSTマイクロエレクトロニクスはこのほど、第3世代(3G)やCDMA方式の携帯電話向けマルチチップ・パッケージ(MCP)メモリーを発表した。最大1ギガビットのNAND型フラッシュと最大512メガビットのLPSDRAM(低電力同期DRAM)をシングルパッケージに統合した同製品は、サイズと消費電力に限界があるが、高いメモリー密度を必要とする最新の携帯デバイスに最適としている。 3G端末におけるマルチメディア・アプリケーションに対する需要は急拡大しており、携帯電話での写真撮影や、映像再生、Web・サーフィンも日常的になった。 先進の画像・オーディオ処理機能、高速スループット、大容量に対するニーズは携帯電話の構造をより汎用で、画像や映像、オーディオなどのデータを認識、これを正しく使用できる「パソコン並みのアーキテクチャ」に変えたとSTマイクロ。 NAND型フラッシュとLPSDRAMの2種類のチップを統合したMCPメモリーは小型ながらも高メモリー密度で、必要に応じ異なるメモリーを提供。 STでは広範囲に及ぶNAND型フラッシュとLPSDRAMの組み合わせを提供し、端末メーカーに設計段階で高い柔軟性を提供、それぞれの端末のメモリーニーズを満たすよう新シリーズを設計したとしている。 新MCP製品は、バス幅やメモリー密度、クロック周波数、データレートなど様々な特定用途に対応できるよう組み合わせることが可能で、NAND型フラッシュは1ギガビット、256メガビット、512メガビットの3種類、LPSDRAMはSDR512メガビットと256メガビット、SDR/DDR256メガビット、DDR512メガビットを提供する。 単価は100万個一括購入時で11-17ドル。 |
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