電波プロダクトニュース



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日付 メーカー名 製品分類 分類 用途
2月23日060223_04 アバゴ・テクノロジーズ 半導体素子 光半導体 一般民生用

波長870/940ナノメートルの高出力・赤外線アルミ・カリウムひ素LEDエミッタ



【台北支局】台湾を拠点に、アジアで積極的に事業を展開している米アバゴ・テクノロジーズは、波長870および940ナノメートル(nm)の高出力・赤外線(IR)LEDエミッタ「HSDL-42xx」ファミリを発表した。いずれも、5ミリの挿入型パッケージで提供する。

IRエミッタの新製品は、アバゴの高出力アルミ・ガリウムひ素(AlGaAs)LED技術を使用して組み立てられ、放射強度、スピード、低順方向電圧に最適化されている。5ミリのパッケージは、広範囲の電流に電力を有効に放散できるアイアンリードフレームで構築される。

これらは、民生、産業用、通信アプリケーションにおける赤外線トランシーバのリンク距離の拡大と、より高いデータレートに対するニーズに対応するよう設計されており、アクセス制御や携帯型計測機器からIR光学式マウス、火災感知器、IR・LANトランシーバ、オーディオリンク用に適している。波長870ナノメートルのエミッタは、IR通信向け、940ナノメートルの製品は通常、遠隔制御アプリケーション向けに使用される。

「HSDL-4250」と「同4251」は、ピーク波長870ナノメートル、20ミリアンペア(mA)で1.4ボルト(V)の低順方向電圧、立ち上がり・立ち下がり時間40ナノ秒。強度100ナノワット/sr、視野角30度となっている。

「HSDL-4260」は、ピーク波長875ナノメートル、100ミリペアアンでの軸上強度200ミリワット/sr、順方向電圧は20ミリペアアンで1.4ボルト。このほか、ピーク波長940ナノメートルの「HSDL-4270」と「同4271」もある。

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