060208_04東芝・NEC

060208_04
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
2月8日	060208_04	東芝・NEC	半導体集積回路	メモリー	デジタル情報家電用

1.8ボルトで動作可能で読書き速度200メガバイト／秒の16メガビットMRAM

東芝とＮＥＣは７日、世界最高速、最大容量の１６メガビットＭＲＡＭ（磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリー）の共同開発を発表した。１秒当たり２００メガバイトの読み書き速度と、１６メガビットを両立し、さらに1.8ボルトの低電圧動作を実現。

従来のＭＲＡＭでは、書き込み用の磁場を起こす電流回路が周辺のセルの読み出し動作に電気的な悪影響を及ぼし、高速化しにくかった。これに対し今回開発のＭＲＡＭは、部分的に書き込み電流を分岐させる配線方式（ＦＯＲＫ方式）を採用、いち書き込み当たりの抵抗値を３８％低減した。

これにより、データ転送速度（バンド幅）２００メガバイト/秒、動作速度（サイクルタイム）が３４ナノ秒と、いずれも１６メガビットＭＲＡＭとしては世界最高速処理に加え、携帯機器での使用に適した1.8ボルトの低電圧動作を実現した。

さらに、全般的な設計の最適化で、チップサイズも約３０％削減、１６メガビットＭＲＡＭとして世界最小の78.7平方ミリメートル。

今回の成果は、米サンフランシスコで開催中の「ＩＳＳＣＣ２００６」で６日、発表された。