041230_01富士通

041230_01

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
12月30日	041230_01	富士通	半導体集積回路	ASIC/ロジック/ゲートアレイ	情報家電用

ベースバンドLSI

　富士通は、90ｎｍプロセスを用いた携帯電話向けベースバンドＬＳＩを開発、同社のＦＯＭＡ端末「ＦＯＭＡ　Ｆ９０１ｉＣ」に搭載した（既報）。携帯電話に90ｎｍプロセスを使用した半導体を搭載するのは、世界初となる。半導体の微細化に伴い、動作していない間に漏れ出る電流“リーク電流”の増大が問題となっている。同社では増加するリーク電流の増加を抑制するとともに、動作時の消費電力を従来の6分の1に削減した。

このベースバンドＬＳＩは、ＣＰＵ、ＤＳＰをベースにしてＷ―ＣＤＭＡの機能マクロを組み込み、ＦＯＭＡ向けのベースバンド処理機能のすべてをワンチップで実現する。リーク電流の増大を防ぐため、低リーク電流テクノロジーを採用、配線技術には、ＬｏｗＫ材料を採用して、低電力、低リーク電流を実現した。 3種類のＶｔｈ値を持ったトランジスターを適材適所に配置、ゲート絶縁膜にはＳｉＯＮ膜の窒素の濃度を変化するといった、最適化を行った。

また、配線には、誘電率２・９のＣｕ／ＬｏｗＫ材料を使用した。これにより180ｎｍプロセスに比較して、消費電力は約3分の1に削減している。さらに、必要な動作性能を低電圧で実現することで、大幅な低消費電力化を図り、6分の1まで削減している。同社では、今後の微細化にともなう解決策として、リーク低減に伴う性能劣化を回避するため、ハイエンドサーバー向けのトランジスター技術の転用や、ゲート絶縁膜のハイＫ膜化（45ｎｍプロセス以降）、米トランスメタ社の「ＬｏｎｇＲｕｎ２」ライセンスによる基板バイアス印加、動作状況に応じた低リーク化を行っていく。