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512MビットDDR2・SDRAM 
エルピーダメモリはこのほど、ＫｒＦ（フッ化クリプトン）リソグラフィを用いた90ナノメートル微細加工プロセスによる512ＭビットＤＤＲ２・ＳＤＲＡＭを開発した。 同社は、今回、開発した技術を512Ｍビット／1Ｇビット品に展開し、高性能・高付加価値デバイスの供給体制を強化する。 100ナノメートル品に比べ、メモリーセルおよびその周辺の線幅、線間スペースは、約90％に縮小されるが、ＯＰＣ（オプティカル・プロクシミティ・コレクション＝光近接効果補正）技術を駆使することにより、歩留まりの改善を図っている。すでに、ウエハー当たりのショート、断線などの欠陥数は、100ナノメートルと同等レベルを達成しているという。 また、100ナノメートルに比べ、平面積が80％となるコンタクトホールには独自のシリサイド技術を用い、高速動作の障害となる接触抵抗を低減している。 今回の新製品は早期に立ち上げるために、プロセス微細化と生産性を両立させる手法で開発した。このため製造プロセスについては100ナノメートルに準じたものを使用し、現時点で量産可能な設備を用いた。 微細化による問題を今回開発の技術で克服することで、チップサイズ縮小によるメリットを最大限に引き出し、今後、需要増が予想される大容量・高速（512Ｍビット以上／667Ｍｂｐｓ以上）を実現した。 また、チップサイズ縮小により100ナノメートルプロセス品に比べ、20％以上の生産性向上を見込む。 |
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