041120_02エルピーダメモリ

041120_02
　

日付		メーカー名	製品分類	分類	用途
11月20日	041120_02	エルピーダメモリ	半導体集積回路	メモリ	汎用

1GビットDDR2/SDRAM

　エルピーダメモリは18日、1Ｇ（ギガ）ビットＤＤＲ２　ＳＤＲＡＭの800Ｍビット／秒動作に成功したと発表した。

800Ｍビット／秒動作のＤＲＡＭは、現在標準化が進められているＤＤＲ２―６６７（667Ｍビット／秒動作）を上回る世界最速のＤＲＡＭで、100ナノメートルプロセスで量産している1ＧビットＤＲＡＭの高性能なトランジスター特性を生かして、プロセスと回路設計の改良により高速化を図ったもの。

配線の低抵抗化を考慮した新しいレイアウトの適用により、配線容量を低減、1Ｇビットの大容量チップにもかかわらず充放電電流を低く抑えることにも成功している。同社では、今回の技術により大容量ＤＲＡＭでの超高速技術と低消費電力を両立する設計手法を確立した、としている。