041117_04
1Gビット超高速フラッシュメモリー 
韓国のサムスン電子は90ｎｍ（ナノメートル）のプロセス技術を使った1Ｇｂ（ギガビット）の超高速フラッシュメモリーを開発した。このメモリーは「ＯｎｅＮＡＮＤ（ワンナンド）」の名称で呼ばれ、次世代の携帯電話やモバイル端末での利用を目指している。同メモリーはＮＯＲ型フラッシュの高速データ読み取り機能とＮＡＮＤ型が持つ大容量のデータストレージ特性を1体化したもので、バッファメモリーと論理インターフェイスを統合したＮＡＮＤ型アーキテクチャーがベースになっている。 毎秒108ＭＢ（メガバイト）の読み取り速度を可能にする66Ｍヘルツの同期インターフェイスとキャッシュ読み取り機能を特徴とする1Ｇヘルツのワンナンドは従来のＮＡＮＤ型フラッシュより4倍も読み取り速度が早いという。 1Ｇｂのワンナンドは書き込み速度が毎秒10ＭＢ、このためＤＲＡＭバッファリングを必要とせず、フラッシュメモリーの全体のスペースへ直接書き込むことができる。 ワンナンドはＮＯＲ型フラッシュインターフェイス、ＮＡＮＤ型フラッシュコントローラー・ロジック、ＮＡＮＤ型フラッシュアレイ、最大5ｋＢの内部バッファＲＡＭで構成されるシングルチップ。 |
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