電波プロダクトニュース
041023_03
CMPスラリー 日立化成工業は研磨傷を従来品に比べて3分の1に低減でき、平坦化性を2倍に高めたSTI用CMPスラリーを開発し、05年1月から発売する。 茨城県ひたちなか市の山崎事業所に約10億円の設備投資を行い、年間600トンの量産体制を確立する。 新製品は酸化セリウム粒子のサイズを従来品に比べ、約60%まで微小化した。これによって従来品に対して研磨速度を維持したまま、研磨傷の削減、平坦化性の改善などの高性能化を実現した。 CMP(化学的機械研磨)は、半導体の素子分離工程や回路形成工程上発生した凹凸を研磨、平坦化する技術で、CMPスラリーはこの用途で使われる研磨液のこと。 STIは、シリコンウエハー上の何100万個もの半導体素子を、それぞれ電気的に絶縁する素子分離方法の1つ。 同社は1998年に酸化セリウム粒子を採用したCMPスラリーを実用化し、販売実績を伸ばしている。今回の新製品への設備投資によって、同社におけるCMPスラリー全体の生産能力は、現在の約20%増に当たる年間約2000トンになる。 STI用のグローバルシェアは現在、約20%だが、06年度には35%まで引き上げたい考え。 |
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